Electrónica
Página de electrónica de Carlos Díaz
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Arseniuro de Galio (GaAs)
Pertenece a los materiales semiconductores del grupo de elementos AIII-BV de la tabla periódica. La anchura de la banda prohibida es mayor que en el silicio o el germanio. La movilidad de los electrones es tambien mayor que en el silicio o el germanio, y la de los huecos es similar a los del silicio. Para impurificarlo tipo p se utilizan materiales como el zinc, el cadmio o el cobre ya
que introducen niveles permitidos en el intervalo de 0.08 a 0.37 eV por encima de la banda
de valencia del GaAs. Son materiales donadores el azufre, el selenio, el teluro y los
elementos del grupo IV de la tabla periódica, en pequeña concentración, si
El GaAs se utiliza para células fotoeléctricas, diodos de efecto túnel, láseres semiconductores y transistores MESFET. Los dispositivos fabricados con GaAs pueden trabajar a temperaturas de hasta 450ºC. A pesar de estas ventajas, su tecnología plantea algunas dificultades, comparada con la del silicio. Por ejemplo, a diferencia del silicio, no existe un óxido natural que actúe como máscara para producir elementos simples del estilo de la lógica MOS. El GaAs tiene varias topologías de circuitos y tipos de dispositivos. La más dominante y disponible comercialmente es la lógica FET acoplada directamente DCFL (Direct Coupled FET Logic), aunque tembién se dispone de la lógica BFL (Buffered FET Logic) y la lógica SDFL (Schottky Diode FET Logic). (Ver "Microelectrónica [sistema Cassandra]" para más detalles de este tipo de lógicas en arseniuro de galio).
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El arseniuro de galio ha incorporandose a los mercados comerciales
desde que su tencología se inició para el campo militar y aeroespacial.
sustituyen átomos de galio.
