Arseniuro de Galio (GaAs)

El arseniuro de galio ha incorporandose a los mercados comerciales desde que su tencología se inició para el campo militar y aeroespacial.

Pertenece a los materiales semiconductores del grupo de elementos AIII-BV  de la tabla periódica. La anchura de la banda prohibida es mayor que en el silicio o el germanio. La movilidad de los electrones es tambien mayor que en el silicio o el germanio, y la de los huecos es similar a los del silicio.

Para impurificarlo tipo p se utilizan materiales como el zinc, el cadmio o el cobre ya que introducen niveles permitidos en el intervalo de 0.08 a 0.37 eV por encima de la banda de valencia del GaAs. Son materiales donadores el azufre, el selenio, el teluro y los elementos del grupo IV de la tabla periódica, en pequeña concentración, si Puntero lásersustituyen átomos de galio.

El GaAs se utiliza para células fotoeléctricas, diodos de efecto túnel, láseres semiconductores y transistores MESFET.

Los dispositivos fabricados con GaAs pueden trabajar a temperaturas de hasta 450ºC.

A pesar de estas ventajas, su tecnología plantea algunas dificultades, comparada con la del silicio. Por ejemplo, a diferencia del silicio, no existe un óxido natural que actúe como máscara para producir elementos simples del estilo de la lógica MOS.

El GaAs tiene varias topologías de circuitos y tipos de dispositivos. La más dominante y disponible comercialmente es la lógica FET acoplada directamente DCFL (Direct Coupled FET Logic), aunque tembién se dispone de la lógica BFL (Buffered FET Logic) y la lógica  SDFL (Schottky Diode FET Logic). (Ver "Microelectrónica [sistema Cassandra]" para más detalles de este tipo de lógicas en arseniuro de galio).

GaAssm.gif (5525 bytes)
Estructura del arseniuro de galio

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