| MOSFET
El transistor
MOSFET (del inglés Metal-oxide-semiconductor FET) cuenta con
un  canal de semiconductor tipo n, una región tipo p
y una puerta aislada. Los electrones
libres pueden fluir desde el surtidor al drenador a través del material tipo n.
La región p recibe el nombre de sustrato y reduce físicamente
la trayectoria de conducción a un canal muy estrecho. Los electrones fluyen en la forma indicada y deben pasar esta angosto canal cuya anchura efectiva se controla mediante el potencial
aplicado a la puerta. Como la puerta
está ailada del canal, la corriente de
entrada a la puerta es despreciable.
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