Shockley, William Bradford (1919-1989).

William ShockleyNació en Londres (Inglaterra), el 13 de Febrero de 1910, hijo de William Hillman Shockley, un ingeniero minero nacido en Masachusetts y su esposa Mary Bradford quien también trabajaba en la minería, siendo una inspector diputado del mineral en Nevada.

La familia regresó a los Estados Unidos en 1913 y William Junior fue educado en California, obteniendo su grado B.Sc. en el Instituto tecnológico de California en 1932. Estudió en el instituto tecnológico de Masachusetts bajo la dirección del profesor J.C. Slater y obtuvo su Ph.D. en 1936, presentando una tesis doctoral sobre la estructura de bandas de energía del cloruro sódico. submarino.jpg (41568 bytes)

Con el apoyo de Bell Telephone Laboratories en 1936 comenzó los experimentos que le llevaron al descubrimiento y posterior desarrollo del transistor de unión. Durante la segunda Guerra Mundial ejerció como director de investigación en el grupo de investigaciones de operaciones de combate antisubmarinos. Trabajó, igualmente, como consejero experto en la oficina del secretario para la guerra. Al finalizar la guerra, volvió a Bell Telephone como director de la investigación física del transistor.

Universidad de PrincetonLa investigación de Shockley estuvo centrada en las bandas de energía de los sólidos, la difusión propia del cobre, el orden y el desorden en los enlaces, experimentos y teoría en los campos ferromagnéticos, experimentos de fotoelectrones en cloruro de plata, varios temas en la física del transistor y operaciones en la búsqueda en estadísticas del salario de productividad individual en laboratorios de investigación. Para realizar estos últimos trabajos, Shockley dispuso de dos bancos de datos: en 1946 en la Universidad de Princeton, y en 1954 en el Instituto tecnológico de California (Passadena). Durante un año (1954-1955), fue diputado director y Director de investigación del grupo de evaluación de sistemas de armamento y del departamento de Defensa.

Su trabajo fue recompensado con muchos honores.El primer transistor (1947) Recibió la Medalla al Mérito en 1946, por su trabajo en el departamento de guerra. El premio en memoria de Morris Leibmann del Instituto de Ingeniería de la Radio en 1952; los siguientes años, el premio de la Sociedad Americana de la Física de Oliver E. Buckley por su investigación del estado físico sólido y un año después el premio Cyrus. B. Comstock de la Academia Nacional de las Ciencias. El mayor honor fue el Premio Nobel en Física que le fue otorgado en 1956, juntamente con sus dos antiguos colegas de los laboratorios "Bell Telephone", John Bardeen y Walter H. Brattain por el desarrollo del transistor.

En 1954 William Shockley abandonó los laboratorios Bell para fundar una empresa propia. Eligió como emplazamiento su ciudad natal de Palo Alto, en California, donde se contaba con unas condiciones favorables para la construcción de una empresa moderna. Allí había una universidad, la Universidad Stanford que se encuentra hoy entre las universidades más selectas de los EE.UU. Un influyente profesor de electrotecnia animó a sus estudiantes a fundar empresas en las cercanías de la universidad.

ShockleyEn estos alrededores fundó Shockley el Laboratorio Shockley Semiconductors. La técnica del silicio demostró ser mucho más complicada que la del germanio, por lo que el rendimiento en piezas utilizables era muy escaso. Shockley puso en marcha trabajos de investigación para mejorar el rendimiento, pero los elevados gastos le venían demasiado grandes a la pequeña empresa. Por otra parte no necesitaban preocuparse por el mercado ya que el ejército pagaba los más altos precios por transistoes fiables. Sin embargo Shockley rehusaba tirar por la borda sus grandes planes en beneficio de la producción de transistores de silicio. Ocho colaboradores sacaron las consecuencias oportunas y abandonaron la empresa. Los "ocho traidores", como los llamabaShockley semiconductors en el Silicon Valley Shockley, emprendieron su trabajo en 1957 a algunas millas de Palo Alto. Merced a siguientes divisiones y fusiones, en los veinte años siguientes surgieron cerca de 100 empresas en torno a la Universidad Stanford. Esta región, escenario de esta explosión industrial, se convirtió en paradigma de una nueva era como Silicon Valley.

Shockley intentó salvar su empresa acentuando la producción, pero la suerte siguió negándosele al Shockley’s Transistor Laboratory y acabó siendo absorbido por ITT.

301_shockley_holesandel.jpg (1418 bytes)En 1958 llegó a ser catedrático en la Universidad de Stanford (California) y en 1963 fue primer profesor de Ingeniería de dicha Universidad, jubilándose en 1974. Entre sus publicaciones destaca " Electrones y huecos en el semiconductor", obra publicada en 1950.

Shockley fue miembro del "Scientific Advisory Panel of the U.S. Army" desde 1951 y él sirvió desde 1958 al "Air Force Scientific Advisory Board".Pensilvania

En 1962 el fue nombrado consejero del comité científico del presidente. Recibió el doctorado de ciencias de la Universidad de Pesilvania, en la universidad Rutgers y en el colegio Gustavus Adolphus. En 1963 fue nombrado el primer profesor Alexander M. Poniatoff de la ciencia aplicada a la ingenieria en la Universidad Standford, donde hizo la labor de profesor en ingeniería y ciencias aplicadas. En ese mismo año, recibió la medalla Holley de la Sociedad Americana de Ingeniería mecánica.

Durante los años 60, Shockley fue motivo de algunas controversias debido a sus debates sobre las diferencias intelectuales sobre razas. Se apoyaba en que los tests de inteligencia estándar reflejaban un factor genético en la capacidad intelectual, y que esos tests (coeficiente de inteligencia, IQ) revelaban que los negros eran inferiores a los blancos. Además, concluyó que la mayor proporción de reproducción entre negros era un efecto retrógrado en la evolución.

Shockley estuvo casado dos veces, y tuvo 3 hijos en su primer matrimonio con Jean. Esta unión acabó en divorcio. Su segunda esposa fue Emmy Lanning.

William B. Schokley falleció el 12 de Agosto de 1989 en Palo Alto (California) a los 79 años de edad.

(Ver otros científicos e ingenieros)

VOLVER   |   ÍNDICE GLOSARIO